اخبار

1. خط زنی چرخ سنگ زنی دستگاه تاس چرخ سنگ زنی تیغه را به چرخش با سرعت بالا در دوک نخ ریسی الکتریکی هدایت می کند تا به سنگ زنی قوی مواد دست یابد. لبه...

ویفرهای کاربید سیلیکون عمدتاً در تولید دیودهای شاتکی، ترانزیستورهای اثر میدان نیمه هادی اکسید فلز، ترانزیستورهای اثر میدان اتصال، ترانزیستورهای پیو...

این شرکت می تواند مشخصات مختلف و ویفرهای سیلیکونی SOI با کیفیت (Silicon On Insulator-Silicon On Insulator) را به مشتریان ارائه دهد که برای مشتریان ...

● ضخامت لایه اکسیدی یکنواخت. ● صافی خوب. ● تاب خوردگی کوچک. ● تلورانس های ابعادی کوچک. ● سطح بدون صافی و لک باشد.

تولید ویفرهای سیلیکونی معمولاً دارای مراحل زیر است: 1) رشد کریستال که می توان آن را به روش Czochralski (CZ) و روش ذوب ناحیه (FZ) تقسیم کرد. از آنجا...

آرسنید گالیم با فرمول شیمیایی GaAs یک نیمه رسانای ترکیبی گروه III-V است. از آرسنیک و گالیوم تشکیل شده است. ظاهر خاکستری روشن، درخشندگی فلزی دارد و ...

سیلیکون مونوکریستالی عمدتاً در سلول های خورشیدی استفاده می شود. اولین کاربرد سلول های خورشیدی سیلیکونی است که دارای راندمان تبدیل بالا و پیشرفته تر...

به عنوان یک کریستال عنصر غیر فلزی نسبتا فعال، سیلیکون تک کریستال بخش مهمی از مواد کریستالی است و در خط مقدم توسعه مواد جدید قرار دارد. ساخت مواد سی...

تک کریستال سیلیکونی ذوب شده با ناحیه مقاومت فوق العاده بالا (FZ-Silicon) تک کریستال سیلیکونی با محتوای ناخالصی کم، چگالی نقص کم و ساختار شبکه ای کا...

چهار روش نازک کردن برای نازک کردن ویفر از دو گروه تشکیل شده است: آسیاب و اچ. (1) سنگ زنی مکانیکی (2) مسطح سازی مکانیکی شیمیایی (3) اچینگ مرطوب (4) ...