ویفرهای ساخته شده از سیلیکون روی مقره (SOI) با استفاده از سه روش اصلی تولید می شوند: انتقال لایه همپایی، SOI باند شده و سیلیکون روی مقره. هر تکنیکی مزایا و مزایای خاص خود را دارد.
ابتدا می توان با استفاده از تکنیک سیلیکون روی عایق، یک لایه سیلیکون در بالای یک لایه عایق مانند دی اکسید سیلیکون ایجاد کرد. با این روش، لایه سیلیکونی بالایی و بستر زیرین توسط یک لایه اکسید مدفون که از طریق کاشت یون ایجاد می شود، جدا می شوند. این روش به ویژه برای تولید ویفرهایی با رسانایی حرارتی برجسته و لایه های همگن خوب عمل می کند.
دوم، یک لایه نازک از سیلیکون درجه یک با استفاده از فرآیند SOI باند شده بر روی یک بستر عایق چسبانده می شود. این کار با چسباندن یک لایه نازک سیلیکون بر روی یک بستر پس از ایجاد آن از طریق کاشت یون یا رشد اپیتاکسیال انجام می شود. این فرآیند ایجاد مدارهای بسیار یکپارچه را امکان پذیر می کند و برای تولید ویفرهایی با ضخامت های خاص عالی است.
در نهایت، روش دیگر برای تولید ویفرهای SOI، انتقال لایه همپایه است. در این فرآیند با استفاده از تکنیکهای رشد اپیتاکسیال، لایه نازکی از سیلیکون بر روی بستر اهداکننده تشکیل میشود. متعاقباً، این لایه از طریق پرداخت مکانیکی شیمیایی و پیوند ویفری به یک بستر عایق متصل می شود. ویفر SOI برتر با ویژگی های الکتریکی استثنایی محصول نهایی است.
