به‌روزرسانی موجودی ویفر سیلیکونی 4،6،8 اینچی_20240311 SOI

Mar 12, 2024 پیام بگذارید

بسیاری	تولید - محصول	قطر	کریستال	تایپ کنید	دوپانت	گرایش	ضخامت	مقاومت
G8P131	SOI	200	CZ	P	B	100	725±15	14~19	دستگاه: 7.5±55 نانومتر، 8 تا 12 اهم. سانتی متر / جعبه: 10±145 نانومتر، بریدگی<110>
C19404-3-2	SOI	200	Cz	Na	Na	100	725±15	>750	دستگاه: 210 تا 230 نانومتر، 8 تا 12 اهم. سانتی متر / جعبه: 2950 تا 3050 نانومتر
G8P238S	Soi	200	Cz	P	B	100	725±15	14~19	دستگاه: 200 تا 240 نانومتر، 8 تا 12 اهم. سانتی متر / جعبه: 1950 تا 2050 نانومتر
G8P217	Soi	200	Cz	Na	Na	100	725±15	>750	دستگاه: 210 ~ 230 نانومتر، P<100>8 ~ 12 اهم سانتی متر / جعبه : 1950 ~ 2050 نانومتر
G8P500	Soi	200	Cz	P	B	100	725±15	8~12	دستگاه: 500±50 نانومتر / جعبه: 2950 ~ 3050 نانومتر، جهت بریدگی<110>
G8P600	Soi	200	Cz	P	B	100	725±15	8~12	دستگاه: 600±60 نانومتر / جعبه: 2950 ~ 3050 نانومتر، جهت بریدگی<110>
G8P340	Soi	200	Cz	P	B	100	725±15	8~12	دستگاه: 25±340 نانومتر / جعبه: 2900 ~ 3100 نانومتر، جهت بریدگی<110>
G8P288	SOI	200	Cz	P	B	100	725±15	>1000	دستگاه: 12.5±145 نانومتر، 8 تا 12 اهم. سانتی متر / جعبه: 25±400 نانومتر، شکاف<110>
G8M107	Soi	200	Cz	N	Ph	100	725±15	0.3~1.2	دستگاه: 80±1500 نانومتر، P/B<100>14 ~ 22 اهم سانتی متر / جعبه: 950 ~ 1050 نانومتر، شکاف<100>
230300058	Soi	150	Cz	P	B	100	450±5	1~10	دستگاه: 15μm±0.5μm P 0.01~0.02 / جعبه: 5μm±5%,DSP
1511032	Soi	100	Cz	N		100	475±25	Na	دستگاه: 20μm±0.5 N 0.001~0.02 / جعبه: 15μm±3%
G8N70	Soi	200	Cz	N	Ph	100	725±10	1~10	دستگاه: 70μm±5٪ / جعبه: 1000nm±5٪
G8K00318	Soi	200	Cz	P	B	100	625±10	>1000	دستگاه: 1.5±0.5μm،<0.02 ohm.cm / Box : 2μm±5%
A0210	Soi	200	Cz	P	B	100	725±15	8.5~11.5	دستگاه: 100±1250 نانومتر / جعبه: 40±400 نانومتر
112301	Soi	100	Cz	N	ش	100	300	0.005~0.025	دستگاه: 30μm / جعبه: 0.5μm
G6P163S	Soi	150	CZ	P	B	100	675±15	10~20	دستگاه: 200 تا 240 نانومتر، 10 تا 20 اهم. سانتی متر / جعبه: 2850 تا 3150 نانومتر