پست الکترونیک

sales@sibranch.com

واتس اپ

+8618858061329

ویفر آرسنید گالیوم

ویفر آرسنید گالیوم

یکی از بزرگترین مزایای ویفرهای آرسنید گالیوم، توانایی آنها در عملکرد در فرکانس های بسیار بالا است. این آنها را برای استفاده در ارتباطات راه دور، فناوری مایکروویو و ارتباطات ماهواره ای ایده آل می کند.
ارسال درخواست
چت کن
شرح
پارامترهای فنی
توضیحات محصول

 

یکی از بزرگترین مزایای ویفرهای آرسنید گالیوم، توانایی آنها در عملکرد در فرکانس های بسیار بالا است. این آنها را برای استفاده در ارتباطات راه دور، فناوری مایکروویو و ارتباطات ماهواره ای ایده آل می کند. علاوه بر این، این ماده دارای تحرک الکترون بالایی است، به این معنی که می تواند سیگنال ها را سریعتر از برخی مواد نیمه هادی دیگر حمل کند.

 

یکی دیگر از مزایای مهم ویفرهای گالیوم آرسنید راندمان بالای آنها در تبدیل انرژی الکتریکی به نور است. این ویژگی آنها را در ساخت LED و سایر محصولات روشنایی مفید می کند. همچنین خواص حرارتی بهتری نسبت به سایر مواد دارند و می توانند در دماهای بالاتر با اتلاف انرژی کمتر کار کنند.

 

در زمینه پزشکی، ویفرهای آرسنید گالیوم در توسعه تجهیزات پزشکی مانند دستگاه های اشعه ایکس، لیزرهای پزشکی و سایر ابزارهای تشخیصی استفاده می شود. علاوه بر این، آنها در پنل های خورشیدی به دلیل توانایی آنها در جذب موثر نور خورشید و در صنعت هوافضا برای ساخت مدارهای مجتمع و سایر قطعات الکترونیکی استفاده شده اند.

 

ابعاد و تحمل‌های استاندارد برای ویفر GaAs با قطر 150 میلی‌متر

ویژگی

بعد، ابعاد، اندازه

تحمل

واحدها

قطر

150

+/-0.5

میلی متر

ضخامت، نقطه مرکزی

     

گزینه A

675

+/-25

μm

گزینه B

550

+/-25

μm

جهت بریدگی

[010]

+/-2

درجه

عمق بریدگی

1

+0.25/-0.0

میلی متر

       

ابعاد و تحمل‌های استاندارد برای ویفر GaAs با قطر 100 میلی‌متر

ویژگی

بعد، ابعاد، اندازه

تحمل

واحدها

قطر

100

+/-0.5

میلی متر

ضخامت، نقطه مرکزی

675

+/-25

μm

طول تخت اولیه

18

+/-2

میلی متر

طول تخت ثانویه

18

+/-2

میلی متر

US/SEMI و E/J-Flat-Option موجود است

     
       

ابعاد و تحمل‌های استاندارد برای ویفر GaAs با قطر 200 میلی‌متر

ویژگی

بعد، ابعاد، اندازه

تحمل

واحدها

قطر

200

+/-0.5

میلی متر

ضخامت، نقطه مرکزی

625

+/-25

μm

جهت بریدگی

[010]

+/-2

درجه

عمق بریدگی

1

+0.25/-0.0

میلی متر

       

ابعاد استاندارد و تحمل برای ویفر GaAs با قطر 3 اینچ

ویژگی

بعد، ابعاد، اندازه

تحمل

واحدها

قطر

76.2

+/-0.5

میلی متر

ضخامت، نقطه مرکزی

625

+/-25

μm

طول تخت اولیه

22

+/-2

میلی متر

طول تخت ثانویه

11

+/-2

میلی متر

US/SEMI و E/J-Flat-Option موجود است

     

 

تصویر محصول

4 11

4

چرا ما را انتخاب کنید

 

محصولات ما منحصراً از پنج تولید کننده برتر جهان و کارخانه های داخلی پیشرو تهیه می شود. پشتیبانی توسط تیم های فنی داخلی و بین المللی بسیار ماهر و اقدامات کنترل کیفیت دقیق.

هدف ما ارائه پشتیبانی یک به یک جامع به مشتریان، تضمین کانال‌های ارتباطی هموار حرفه‌ای، به موقع و کارآمد است. ما حداقل مقدار سفارش را ارائه می دهیم و تحویل سریع را در 24 ساعت تضمین می کنیم.

 

نمایش کارخانه

 

موجودی گسترده ما از 1000+ محصولات تشکیل شده است که اطمینان حاصل می کند که مشتریان می توانند فقط برای یک قطعه سفارش دهند. تجهیزات متعلق به خود ما برای خرد کردن و سنگ زنی، و همکاری کامل در زنجیره صنعتی جهانی، ما را قادر می سازد حمل و نقل سریع را برای اطمینان از رضایت و راحتی مشتری یک مرحله ای انجام دهیم.

01
02
03

 

گواهی ما

 

شرکت ما به گواهینامه‌های مختلفی که به دست آورده‌ایم، از جمله گواهی ثبت اختراع، گواهی ISO9001 و گواهینامه ملی شرکت فناوری پیشرفته، افتخار می‌کند. این گواهینامه ها نشان دهنده تعهد ما به نوآوری، مدیریت کیفیت و تعهد به تعالی است.

01
02
03
04
05
06
07
08
09
10
11
12
13
14

 

تگ های محبوب: ویفر آرسنید گالیم، تولید کنندگان ویفر آرسنید گالیم چین، تامین کنندگان، کارخانه