تفاوت بین ویفر سیلیکونی نیمه هادی و ویفر سیلیکونی فتوولتائیک

ویفرهای سیلیکونی نیمه هادی، چون ویفرهای سیلیکونی نیمه هادی گرد هستند، ویفرهای سیلیکونی نیمه هادی را "ویفر سیلیکونی" یا "ویفر" نیز می نامند. ویفر "زیر" تولید تراشه است و همه تراشه ها بر روی این "زیر لایه" ساخته می شوند.
ویفرهای سیلیکونی فتوولتائیک سیلیکونی ورقه ای شکل با خلوص بالا هستند که از برش دادن، پرداخت و تمیز کردن میله های سیلیکونی تشکیل می شوند. نیمه هادی؛ دوپ شده با مقدار کمی از عناصر گروه VA (فسفر)، نیمه هادی سیلیکونی نوع N می تواند تشکیل شود. نیمه هادی های نوع N و نوع P را می توان برای ساخت سلول های فتوولتائیک سیلیکونی کریستالی ترکیب کرد که انرژی تابش خورشید را به انرژی الکتریکی تبدیل می کند. ویفرهای سیلیکونی مونو کریستال فتوولتائیک به دو نوع سیلیکون مونو کریستال و سیلیسیم پلی کریستال تقسیم می شوند که سیلیکون پلی کریستالی حدود 60 درصد از آنها را تشکیل می دهد.
تفاوت اصلی بین ویفرهای سیلیکونی نیمه هادی و ویفرهای سیلیکونی فتوولتائیک چیست؟
ویفرهای سیلیکونی نیمه هادی نسبت به ویفرهای سیلیکونی فتوولتائیک نیاز بیشتری دارند. ویفرهای سیلیکونی مورد استفاده در صنعت نیمه هادی همگی سیلیکونی تک کریستالی هستند، هدف اطمینان از ویژگی های الکتریکی یکسان در هر موقعیت ویفر سیلیکونی است. از نظر شکل و اندازه، ویفرهای سیلیکونی تک کریستالی برای فتوولتائیک مربع هستند، عمدتاً با طول ضلع های 125 میلی متر، 150 میلی متر و 156 میلی متر. ویفرهای سیلیکونی تک کریستالی برای نیمه هادی ها گرد هستند و قطر ویفرهای سیلیکونی 150 میلی متر (6-ویفر اینچ)، 200 میلی متر (8-ویفر اینچ) و 300 میلی متر (12-ویفر اینچ) است. از نظر خلوص، خلوص ویفرهای سیلیکونی تک کریستالی برای فتوولتائیک مستلزم آن است که محتوای سیلیکون بین 4N-6N (99.99%-99.9999%) باشد، اما ویفرهای سیلیکونی تک کریستالی برای نیمه هادی ها تقریباً وجود دارد. 9N (99.9999999%){18}}N (99.999999999%). خلوص مورد نیاز حداقل 1000 برابر ویفرهای سیلیکونی تک کریستالی فتوولتائیک است. از نظر ظاهری، صافی، صافی و تمیزی سطح ویفرهای سیلیکونی برای نیمه هادی ها بیشتر از ویفرهای سیلیکونی فتوولتائیک است. خلوص بزرگترین تفاوت بین ویفرهای سیلیکونی تک کریستال برای فتوولتائیک و ویفرهای سیلیکونی تک کریستال برای نیمه هادی ها است.